2
C3D08060G Rev. F
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.6
1.9
1.8
2.4
V
IF
= 8 A T
J=25°C
IF
= 8 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
50
200
μA
VR
= 600 V T
J=25°C
VR
= 600 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
21
nC
VR
=
600
V,
IF
= 8A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
441
39
33
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
1. Note:This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
1.4
°C/W
Typical PerformanceForward Characteristics
6
6
7
7
8
8
9
9
10
10
Forward Current (A)
0
0
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
0.00.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
F
Forward Current (A)
Forward Voltage (V)VF
Forward Vota (V)
6060
7070
8080
9090
100100
Reverse Current (uA)
Reverse Characteristics
00
1010
2020
3030
4040
5050
00 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
I
R
Reverse Current (uA)
R Reverse Voltage (V)VR
Reverse Voltage (V)
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
V
I
R
Reverse Current (
μ
A)
TJ
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
=
125°C
T
J
= 175°C
VF
I
F
Forward Current (A)
TJ
= 25°C
T
J
= 75°C
T
J
=
125°C
T
J
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